本月19日，美国又出了最新消息，Zyvex实验室宣布在高分辨光刻系统中，实现了768皮米的原子级精密图案和亚纳米级分辨率。这是什么概念，这个技术自然代表了世界最先进的芯片光刻技术。这个技术的实现，表示了EUA已经是“过时”了。现在EUA技术，要到明年才可以量产出3纳米的工艺，后年才有可能达到2纳米程度。

显然这个技术层面立马拉开了距离，美国芯片技术，的确不是中国短时间可以超过的。这个0.7纳米的光刻技术出世，就是台积电的技术，都要和美国差距五六年。而中国现在的技术，还在28纳米徘徊中，能够达到14纳米技术已经是极限了。也就是说，按中国这种速度发展，想要达到台积电的水平就要十五六年的时间。所以这么看起来，如果按正常发展，估计我国要达到美国现在这种程度需要二十年，这还需要美国原地踏步才行。这么看起来，我们的芯片发展，的确任重而道远。

不过美国这次的技术出现，也给我们一个新的希望，就是技术靠研发的，也许我们国家也在这个领域中，做出突破，毕竟材料，工艺都是可以做突破的。也许一个突破，我们就赶上人家了呢。

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